CDRR105NP-150MB

CDRR105NP-150MB datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

CDRR105NP-150MB datasheet

Маркировка

CDRR105NP-150MB
Производитель

Sumida Corporation
Описание

Sumida Corporation CDRR105NP-150MB Mfr Package Description: ROHS COMPLIANT Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Shielded: Yes DC Resistance: 0.0638 ohm Surface Mount: Yes Terminal Shape: ONE SURFACE Terminal Finish: NOT SPECIFIED Terminal Placement: DUAL ENDED Manufacturer Series: CDRR Number of Functions: 1 Number of Terminals: 2 Inductor Application: POWER INDUCTOR Shape/Size Description: RECTANGULAR PACKAGE Tolerance: 20 % Inductor Type: GENERAL PURPOSE INDUCTOR Rated Current-Max: 3.08 A Inductance-Nom (L): 15 uH
Количество страниц

4 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet CDRR105NP-150MB.pdf
Файл формата Pdf 168,38 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

CDRR105NP-150MBОнлайн Компоненты

CDRR105NP-150MBЭИК

CDRR105NP-150MBТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.